GLAD Tekniği ile Büyütülen Zig-Zag Nano Şekilli a-Si/c-Si Heteroeklemlerin Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi
Abstract
Zig-zag nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD
tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Zig-zag nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu
(XRD) analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si
heteroeklemlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) ile
incelendi. Bu heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri dc akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla oda
sıcaklığında karanlık ve aydınlık şartlarda incelendi. Bariyer yüksekliği ΦB, ideallik faktörü ɳ, seri direnç Rs ve
şhunt direnci Rsh gibi Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki elektriksel parametreleri
I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,83 eV, 3,59, 14,3 kΩ ve 0,65 MΩ olarak bulundu. Zig-zag nano
şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiştir ve açık devre gerilimi ve kısa devre akımı
gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla Voc=232 mV ve Jsc=22 mA/cm2 olarak elde edilmiştir. Bu Zig-Zag nano
yapının boşluklu yüzey morfolojisi güneş pili teknolojileri ve fotovoltaik aygıtlar için önemli bir özelliktir.
Investigation of Electrical and Photovoltaic Properties of Zig-Zag Nano Shape a-Si/c-Si Heterojunctions Grown by GLAD Technique
Abstract
The Zig-Zag nano shape a-Si thin films were prepared on c-Si substrates by GLAD technique in electron beam
evaporation system. The structural properties of the Zig-Zag nano shape thin films were determined by X-Ray
Diffraction (XRD) analysis and Raman spectroscopy. Surface and cross-sectional morphology of Zig-Zag nano
shape a-Si/c-Si heterojunctions were investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM).
The electrical and photovoltaic properties of these heterojunction have been investigated by means of dc currentvoltage
(I-V) measurements within at room temperature in dark and light conditions. Electrical parameters such
as barrier height ΦB , diode ideality factor ɳ, series resistance Rs and shunt resistance Rsh were determined from
the I–V characteristic in the dark conditions for Zig-Zag nano shape a-Si/c-Si heterojunctions were found to be
0.83 eV, 3.59, 14.3 kΩ and 0.65 MΩ respectively. The Zig-Zag nano shape a-Si/c-Si heterojunctions show a
photovoltaic behavior and the photovoltaic parameters, such as open circuit voltage and short circuit current were
obtained as Voc=232 mV and Jsc=22 mA/cm2, respectively. The porous morphology of this Zig-Zag nano structure
has important features in photovoltaic devices and solar cell technology.
Details
| Other ID | JA52JS32SK |
|---|---|
| Journal Section | Articles |
| Authors | |
| Publication Date | March 1, 2017 |
| Submission Date | March 1, 2017 |
| Published in Issue | Year 2017 Volume: 29 Issue: 1 |