Günümüzde radyasyonun kullanıldığı ortamlarda radyasyonun meydana getirebileceği etkilerin minimize edilmesi önem arz etmektedir. Bu amaçla tıp, malzeme bilimi, enerji gibi birçok sektörde radyasyondan korunmak veya radyasyonu daha verimli kullanabilmek için teknolojik gelişmeler üzerinde yoğun çalışmalar mevcuttur. Bunlardan biri de ince filmlerin tasarım ve iyileştirme çalışmalarıdır. İnce filmlerin fiziksel özelliklerini iyileştirmek için bazı çalışmalarda farklı element katkıları da yapılabilmektedir. Bu çalışmada yüksek kimyasal kararlılığa, optik şeffaflığa, mükemmel elektriksel ve yarı iletken özelliklere sahip, ekran, güneş pilleri ve sensörler gibi birçok alanda yaygın olarak kullanılan İndiyum Oksit ince filmine %5, %10 ve %20 oranlarında Samaryum ve Bor katkılanarak numunelerin radyasyon özellikleri MCNP6.2 simülasyon programıyla belirlenmeye çalışılmıştır. Simülasyon sonuçları XCOM veri tabanındaki değerlerle karşılaştırılarak yapılan simülasyonun hata oranlarının kabul edilebilirliği gözlenmiştir. Simülasyon analizlerine göre Samaryum ve Bor katkılı İndiyum Oksit ince film numuneleri için uygun olabileceği ve bu bağlamda radyasyonlu ortamlarda ilgili cihazlarda kullanılabileceği düşünülmektedir. Bu çalışma, ince filmlere farklı element katkılandırma çalışmalarına fikir sunmuş olacaktır.
Today, it is important to minimize the effects of radiation in environments where radiation is used. For this purpose, there are intensive studies on technological developments in many sectors such as medicine, material science and energy in order to protect from radiation or to use radiation more efficiently. One of these is the design and improvement of thin films. In some studies, different elemental additives can be used to improve the physical properties of thin films. In this study, 5%, 10% and 20% Samarium and Boron were doped into Indium Oxide thin film, which has high chemical stability, optical transparency, excellent electrical and semiconductor properties and is widely used in many fields such as displays, solar cells and sensors, and the radiation properties of the samples were tried to be determined with MCNP6.2 simulation program. The simulation results were compared with the values in the XCOM database and the acceptability of the error rates of the simulation was observed. According to the simulation analysis, it is thought that Samarium and Boron doped Indium Oxide thin film samples may be suitable for the samples and in this context, they can be used in related devices in radiation environments. This study will provide ideas for studies on doping different elements into thin films.
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Malzeme Fiziği |
Bölüm | Fizik |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Temmuz 2025 |
Gönderilme Tarihi | 26 Kasım 2024 |
Kabul Tarihi | 17 Haziran 2025 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2025 Cilt: 15 Sayı: 1 |
...