Bu makale, GaAs/AlGaAs sistemi üzerinde odaklanarak kuantum kuyu yapıları içindeki enerji seviyeleri ve soğurma katsayıları üzerine kapsamlı bir sayısal incelemeyi sunmaktadır. Rosen-Morse potansiyeli, Wood-Saxon potansiyeli, Pöschl-Teller potansiyeli, Razavy potansiyeli, ters kuadratik Hellmann potansiyeli, Kratzer-Fues potansiyeli ve Morse potansiyeli gibi çeşitli bağlı potansiyeller keşfedilmektedir. Etkin kütle ve zarf fonksiyonu yaklaşımlarını dikkate alarak, Schrödinger denklemi, sonlu farklar kullanılarak bir ayrık forma dönüştürülür. Analiz boyunca, etkin kütle oranı GaAs'ın karakteristik bir sabit değeri olarak tutulmuştur. Çalışma, kuyu parametrelerindeki değişikliklere karşı geçiş enerjileri ve emilim katsayılarının ince farklılıklar sergilediğini ortaya koymaktadır. Bu, yakın kızılötesi spektrumun alt sınırlarından uzak kızılötesi bölgenin ortalarına kadar uzanır. Farklı potansiyeller yelpazesinde bu fiziksel olayları kapsamlı bir şekilde inceleyerek, özellikle GaAs/AlGaAs sistemi bağlamında, bu araştırma kuantum kuyu yapılarının davranışı ve özellikleri hakkında değerli görüşler sunmaktadır.
Kuantum kuyusu ara-altı bant soğurumu GaAs sonlu farkla yöntemi
This article presents a comprehensive numerical investigation into the energy levels and absorption coefficients within quantum well structures, with a particular focus on the GaAs/AlGaAs system. Various bounded potentials, including the Rosen-Morse potential, Wood-Saxon potential, Pöschl-Teller potential, Razavy potential, inversely quadratic Hellmann potential, Kratzer-Fues potential, and Morse potential, are explored. Employing the Schrödinger equation, with considerations for effective mass and envelope function approximations, a discrete formulation is attained through finite differences. Throughout the analysis, the effective mass ratio is upheld as a constant value characteristic of GaAs. The study reveals that transition energies and absorption coefficients exhibit subtle variations in response to alterations in well parameters, spanning from the lower bounds of the near-infrared spectrum to the midpoints of the far-infrared region. By comprehensively studying these phenomena across a spectrum of potentials, this research contributes valuable insights into the behavior and characteristics of quantum well structures, particularly within the context of the GaAs/AlGaAs system.
Quantum well intersubband absorption GaAs finite difference method
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Yoğun Maddenin Yapısal Özellikleri |
Bölüm | Araştırma Makaleleri |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 30 Haziran 2025 |
Gönderilme Tarihi | 5 Mart 2024 |
Kabul Tarihi | 7 Şubat 2025 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2025 Cilt: 6 Sayı: 1 |